现在如果配新电脑，内存是16GB为主。可十年前的电脑，也是16GB，似乎这些年内存出了技术从DDR3变成了DDR5，容量上变化不大。但这一趋势在下个十年可能被打破。
3D内存的野心
总部位于圣何塞的NEO半导体公司已经推出了3D X-DRAM。这项获得专利的DRAM技术有一个雄心勃勃的目标，即 "解决DRAM的容量瓶颈并取代整个2D DRAM市场"。根据公司的路线图，在DRAM中应用类似NAND的3D DRAM单元阵列将在2030年之前提供1Tb的内存IC。
(资料图片仅供参考)
1Tb集成电路将意味着有可能相对容易地在单个DIMM上安装2TB--每侧有8个芯片的双面DIMM将达到这一目标。使用32个IC的4TB也是可能的。显然，在未来十年内，这更多的是用于服务器，而不是消费者可能需要的任何东西，许多人仍然用8GB或16GB来应付。请注意，目前的内存解决方案在注册的DDR4服务器解决方案中，每个DIMM的最高容量为128GB，使用32个32Gb的IC。现成的DDR5注册DIMMs目前提供高达64GB（32个16Gb ICs），尽管更高容量的模块即将问世。
同样，那是针对DRAM的，而不是某种闪存NAND。但是NEO半导体公司已经开发了3D X-DRAM技术，至少从3D NAND得到了一些启发。它使用了据称是 "世界上第一个类似于3D NAND的DRAM单元阵列 "来提高其容量。不过，这其中有一些关键的区别，而且NEO已经申请了各种专利来保护其知识产权。
NEO半导体公司在其新闻稿中提供了其新的3D X-DRAM的工作原理的一瞥。新的存储器集成电路将使用类似于3D NAND的DRAM单元阵列，但我们也知道该结构是基于无电容的浮动体单元技术。该公司声称，这种变化 "简化了工艺步骤，提供了一个高速、高密度、低成本和高产量的解决方案"。
有助于成功机会的一个重要方面是，3D X-DRAM可以使用当代半导体制造技术来制造。此外，该公司估计，"3D X-DRAM技术可以用230层实现128Gb的密度，是今天DRAM密度的8倍"。
传统路线一样高容量？
对于NEO半导体公司的密度声称，三星公司目前最高密度的DDR5 DRAM IC的容量为16Gb。三星是NAND和DRAM领域的重要参与者，预计很快就会推出32Gb的IC。结合芯片堆叠，这应该能在2023年底/2024年初实现1TB内存模块。这比NEO的2030年推出的时间框架早得多，而芯片堆叠的DRAM可能会更高。
单根512GB的DDR5内存
在AI出现之前，我们现在的电脑可能除了做视频、图像处理之外，没有什么应用特别吃系统性能。但AI来了改变了一切。32G内存可能也不够用，复合模型64G内存起步。12G显存跑Stable Diffusion只是不炸显存的开始。运行起来CPU、显卡一起满载让整个电脑嗷嗷风扇声，仿佛在跑双烤。但折腾AI的乐趣是无穷的，内存多大、CPU显卡多快都能能用到100%，但玩不转AI，显然要在很近的未来被淘汰。
现在很多人还没意识到自己电脑跑AI的乐趣，这两天上一个教程，教大家如何成为AI歌神，你就会发现跑AI乐趣无穷，单机TB级内存的时代快点到来吧！
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